کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
77666 49292 2016 6 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Integration of a-Ge:H nanocavity solar cells in tandem devices
ترجمه فارسی عنوان
یکپارچه سازی سلول های خورشیدی نانوساختار a-Ge: H در دستگاه های دو طرفه
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
خدمات تولید محتوا

این مقاله ISI می تواند منبع ارزشمندی برای تولید محتوا باشد.

  • تولید محتوا برای سایت و وبلاگ
  • تولید محتوا برای کتاب
  • تولید محتوا برای نشریات و روزنامه ها
  • و...

پایگاه «دانشیاری» آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با استفاده از این مقاله علمی، برای شما به زبان فارسی، تولید محتوا نماید.

تولید محتوا
با 10 درصد تخفیف ویژه دانشیاری
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی شیمی کاتالیزور
چکیده انگلیسی


• Amorphous germanium (a-Ge:H) replaces µc-Si:H absorber in micromorph devices.
• A resonant nanocavity is used to enhance the bottom cell absorption.
• Additional undesired resonances are induced by the top cell.
• Rough interfaces suppress top cell induced resonances, but keep nanocavity effect.
• Current density similar to micromorph devices reachable with 20 nm a-Ge:H absorber.

By taking advantage of spectrally broad resonances, nanocavity-enhanced a-Ge:H solar cells with an absorber layer thickness below 20 nm can reach current densities similar to micron-thick µc-Si:H devices. However, as nanocavity-enhanced devices are highly reliant on interference effects, further spectrally narrow resonance patterns are generated if an additional top cell is added to form a multijunction solar cell. This may complicate the integration of a-Ge:H nanocavity solar cells in tandem devices. We show that conventionally textured TCO substrates can be employed to suppress the top cell induced interferences, while the required broadband resonance of the a-Ge:H bottom cell nanocavity is maintained. This approach is realized in an a-Si:H/a-Ge:H tandem solar cell with an only 20 nm thick a-Ge:H bottom cell absorber. The spectrally broad quantum efficiency curve of the bottom cell corresponds to a photocurrent density of 12.3 mA cm−2, which is comparable to values reached in micromorph devices.

Figure optionsDownload as PowerPoint slide

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 145, Part 2, February 2016, Pages 148–153
نویسندگان
,,,,,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت