کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7839827 | 1505860 | 2018 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Selective dependence of the electron-phonon interaction on the nature of the optical transition in AlGaAs quantum wells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In the present work, it is carried out a study of the optical emission of AlxGa1-xAs/GaAs quantum wells by photoluminescence (PL). A detailed analysis of the thermal redshift of the (PL) peaks showed that strength of the electron-phonon interaction is influenced by the degree of binding of the electron in the conduction band (free or localized excitonic state, bulk or quantum size confined state).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 202, October 2018, Pages 322-326
Journal: Journal of Luminescence - Volume 202, October 2018, Pages 322-326
نویسندگان
Cássio Sanguini Sergio, Celso de Araujo Duarte, Carlos Eduardo Arévalo Anzola, Gilmar Macêdo de Aquino, Guennady Michailovich Gusev,