کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
79217 | 49350 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low bandgap GaInAsSbP pentanary thermophotovoltaic diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The liquid phase epitaxial growth of pentanary GaInAsSbP lattice matched onto InAs substrates is reported for use in narrow bandgap thermophotovoltaic cells. The epitaxial layers were characterised and exhibited bright photoluminescence up to room temperature. Prototype thermophotovoltaic cells were fabricated, which were sensitive in the mid-infrared spectral range having cut-off wavelengths in the range 4.0–4.5 μm at room temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 95, Issue 2, February 2011, Pages 534–537
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 95, Issue 2, February 2011, Pages 534–537
نویسندگان
K.J. Cheetham, P.J. Carrington, N.B. Cook, A. Krier,