کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7963004 | 1514137 | 2018 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal stability of uranium nitride and oxynitride films in an ultra-high vacuum environment
ترجمه فارسی عنوان
پایداری حرارتی نیترید اورانیوم و فیلمهای اکسینیتوریدها در محیط خلاء فوق فوقانی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نیترید اورانیوم، اکسین نیترید اورانیوم، حرارت درمانی، پایداری حرارتی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی هسته ای و مهندسی
چکیده انگلیسی
Uranium nitride (UN1.66) and oxynitride (UN1·42O0.23) films have been prepared on the substrate of Si by radio frequency (RF) magnetron sputtering. The films have been studied by scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD) and Auger electron spectroscopy (AES). Then, vacuum heat treatment of uranium nitride and oxynitride films were in situ investigated in an ultra-high vacuum chamber of AES. The experimental results show that the UN1.66 and UN1·42O0.23 films fabricated by radio frequency magnetron sputtering method are dense and uniform. The surface of the UN1.66 films changes into UNxOy at the beginning of the heat treatment. Then the surface changes into UO2 with the increasing temperature. When the temperature exceeds 573â¯K, UO2 phase gradually changes back into UNxOy phase due to the out diffusion of decomposed N atom in UN1.66 subsurface with increased N content of the surface. UN1.42O0.23 film exhibits good stability until 573â¯K. UNxOy and UO2 mixed phases form on the surface of the UN1·42O0.23 after initial oxidation. Owing to the decomposed nitrogen from the UN1·42O0.23 subsurface, the UO2 phase turns back into UNxOy again when the temperature exceeds 573â¯K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Nuclear Materials - Volume 509, October 2018, Pages 408-416
Journal: Journal of Nuclear Materials - Volume 509, October 2018, Pages 408-416
نویسندگان
Lei Lu, Fangfang Li, Hong Xiao, Yin Hu, Lizhu Luo, Bin Bai, Jing Liu, Kezhao Liu,