کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
79853 | 49367 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Encapsulation of Cu(InGa)Se2 solar cell with Al2O3 thin-film moisture barrier grown by atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Encapsulation of Cu(InGa)Se2 solar cell with Al2O3 thin-film moisture barrier grown by atomic layer deposition Encapsulation of Cu(InGa)Se2 solar cell with Al2O3 thin-film moisture barrier grown by atomic layer deposition](/preview/png/79853.png)
چکیده انگلیسی
We compared the moisture sensitivity of a Cu(InGa)Se2 (CIGS) photovoltaic cell protected by 55 nm thick Al2O3, grown by atomic layer deposition (ALD), with equivalent CIGS cells protected with a glass or a polyester lid. Aging studies for more than 1000 h at 85 °C/85% relative humidity with simulated solar illumination showed that the ALD Al2O3 thin-film barrier provided superior moisture protection for the CIGS cell, i.e. no reduction in open circuit voltage or fill factor occurred, compared to cells protected with a glass or plastic lid. We concluded that a moisture barrier grown by ALD could have broad applicability as a strategy for extending the lifetime of flexible CIGS cells.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 94, Issue 12, December 2010, Pages 2375–2378
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 94, Issue 12, December 2010, Pages 2375–2378
نویسندگان
P.F. Carcia, R.S. McLean, Steven Hegedus,