کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
79888 | 49368 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An optical technique for measuring surface recombination velocity
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: An optical technique for measuring surface recombination velocity An optical technique for measuring surface recombination velocity](/preview/png/79888.png)
چکیده انگلیسی
The surface recombination velocity is a critical parameter in silicon device applications including solar cells. In this work, we developed and applied a contactless optical/radio-frequency technique to provide quick, contactless measurement of the surface recombination velocity. The basic technique is to probe the excess carrier lifetime in the surface and bulk regions of a semiconductor wafer by varying the excitation wavelength. Here, we have derived a theoretical functional model that describes the experimental photoconductive transient. A curve fitting procedure provides a determination for both the bulk recombination lifetime and the surface recombination velocity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 93, Issue 5, May 2009, Pages 645–649
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 93, Issue 5, May 2009, Pages 645–649
نویسندگان
R.K. Ahrenkiel, S.W. Johnston,