کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
80465 | 49387 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Understanding defect-related issues limiting efficiency of CIGS solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Understanding defect-related issues limiting efficiency of CIGS solar cells Understanding defect-related issues limiting efficiency of CIGS solar cells](/preview/png/80465.png)
چکیده انگلیسی
Many electrical characteristics of Cu(In,Ga)Se2-based solar cells, including current–voltage characteristics, are affected by specific properties of negative-U defects in the absorber. We present these characteristics and discuss them in the framework of a VSe–VCu defect model proposed by Lany and Zunger. We show how these defects influence photocarrier transport and the dominant recombination mechanism, and hence also the photovoltaic parameters of the cells. Numerical simulations validating our approach will also be presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 93, Issue 8, August 2009, Pages 1290–1295
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 93, Issue 8, August 2009, Pages 1290–1295
نویسندگان
Małgorzata Igalson, Paweł Zabierowski, Daniel Prządo, Aleksander Urbaniak, Marika Edoff, William N. Shafarman,