کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
80488 | 49387 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microcrystalline silicon, grain boundaries and role of oxygen
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Microcrystalline silicon, grain boundaries and role of oxygen Microcrystalline silicon, grain boundaries and role of oxygen](/preview/png/80488.png)
چکیده انگلیسی
The authors report on the correlation of the oxygen content for three high growth-rate series of thin Si films crossing the boundary between amorphous and microcrystalline growth together with the evolution of the prefactor and the activation energy of the dark d.c. conductivity. The different roles of oxygen, such as doping, alloying or defect passivation, are discussed in the framework of the model of transport based on the formation of large grain boundaries with an increased band gap due to hydrogen and/or oxygen alloying.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 93, Issue 8, August 2009, Pages 1444–1447
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 93, Issue 8, August 2009, Pages 1444–1447
نویسندگان
J. Kočka, H. Stuchlíková, M. Ledinský, J. Stuchlík, T. Mates, A. Fejfar,