کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
80520 | 49389 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A new protocol for characterization of dislocations in photovoltaic polycrystalline silicon solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Main photovoltaic properties of polycrystalline silicon solar cells are often affected by dislocation effects. Dislocations degrade functional photocurrent and considerably alter relevant parameters such as short-circuit current density, dark current intensity and open-circuit voltage. In this study, we have developed an enhanced photothermal technical protocol for diagnosing dislocation spatial distribution inside photovoltaic polycrystalline silicon solar cells. We tried to establish a qualitative and quantitative correlation between the local thermal properties alteration and dislocation spatial range. Experimental imaging profiles, yielded by this technique are compared to other diagnostic techniques results.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 91, Issue 14, 6 September 2007, Pages 1319–1325
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 91, Issue 14, 6 September 2007, Pages 1319–1325
نویسندگان
Karem Boubaker,