کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
80562 | 49390 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The influence of structural defects on phosphorus diffusion in multicrystalline silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have investigated the diffusion of phosphorous (P) in multicrystalline Silicon (Si) during solar cell emitter formation by secondary ion mass spectrometry (SIMS). From the experimental results, we observe significantly increased in-grain diffusion depths in areas of structural disorder that are not readily observed by the naked eye. We believe that this effect is due to increased concentrations of Si self-interstitials in the areas surrounding the defects, causing an enhanced transient response of elemental P diffusion. In areas adjacent to a grain boundary a slight, but notably smaller, enhancement of the P diffusion depth is observed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 90, Issues 18–19, 23 November 2006, Pages 3193–3198
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 90, Issues 18–19, 23 November 2006, Pages 3193–3198
نویسندگان
A. Bentzen, B.G. Svensson, E.S. Marstein, A. Holt,