کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
80596 | 49390 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterisation of micrometre-sized inversion layer emitters in crystalline Si
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Characterisation of micrometre-sized inversion layer emitters in crystalline Si Characterisation of micrometre-sized inversion layer emitters in crystalline Si](/preview/png/80596.png)
چکیده انگلیسی
The electrical properties of micrometre-sized inversion-layer (IL) emitters in crystalline Si are investigated by measuring their current–voltage characteristics using a so-called NOSFET device. The IL emitter is induced by a SiN/SiO double-layer stack. We show that by scanning the surface with a negatively biased tip, the IL emitter below the tip can be controllably eliminated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 90, Issues 18–19, 23 November 2006, Pages 3471–3477
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 90, Issues 18–19, 23 November 2006, Pages 3471–3477
نویسندگان
Johnny E. Wu, Armin G. Aberle,