کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
80623 | 49392 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analytical modelling and minority current measurements for the determination of the emitter surface recombination velocity in silicon solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A new analytical model is used to describe the emitter of silicon solar cells in order to gain information on the surface recombination velocity S. The procedure takes advantage of the combined use of experimental measurements, done to determine the emitter saturation current Joe, and analytical modelling to relate Joe to S. Several experiments have been carried out on silicon solar cells having different emitter profiles subjected to various surface treatments. The influence of the surface on significant cell parameters has been analysed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 91, Issue 8, 4 May 2007, Pages 707–713
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 91, Issue 8, 4 May 2007, Pages 707–713
نویسندگان
Santolo Daliento, Luigi Mele, Eugenia Bobeico, Laura Lancellotti, Pasquale Morvillo,