کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
80999 | 49413 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characteristics of structural defects in the 240 kg silicon ingot grown by directional solidification process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Multi-crystalline silicon for solar cell over single crystalline silicon is its capability of using cheaper raw material. Since cheaper material contains harmful metal impurities, gettering technology has to be applied to silicon wafers to reduce the metal content in the crystal. Low dislocation density in the 240 kg multi-crystalline silicon crystal provides the strong possibility of gettering for the low cost silicon solar cell. Saw damage induced during the slicing process of multi-crystalline silicon ingot was confirmed to generate dislocation loops which can be employed for extrinsic gettering.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 90, Issue 11, 6 July 2006, Pages 1666–1672
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 90, Issue 11, 6 July 2006, Pages 1666–1672
نویسندگان
Dae il Kim, Young Kwan Kim,