| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 81295 | 49453 | 2006 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photovoltaic properties and technological aspects of In1−xGaxN/Si, Ge (0<x<0.6) heterojunction solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Photovoltaic properties of n-In1−xGaxN/p-Si, Ge (IGN) heterostructures, covering the compositional range 0
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 90, Issues 7–8, 5 May 2006, Pages 982–997
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 90, Issues 7–8, 5 May 2006, Pages 982–997
نویسندگان
H. Neff, O.K. Semchinova, A.M.N. Lima, A. Filimonov, G. Holzhueter,