کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8148379 | 1524333 | 2018 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Orientation-dependent dissolution and growth kinetics of InxGa1âxSb by vertical gradient freezing method under microgravity
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
InxGa1âxSb crystals were grown from (1â¯1â¯0), (1â¯1â¯1)A, and (1â¯1â¯1)B planes of GaSb under microgravity and their dissolution and growth kinetics were discussed. The dissolution geometry is independent of orientation even when the rate of dissolution is varied. The growth rate of (1â¯1â¯0) was lied in-between (1â¯1â¯1)B and (1â¯1â¯1)A experiments. The growth kinetics are largely affected by the dissolution process through the establishment of a concentration gradient in the melt.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 496â497, AugustâSeptember 2018, Pages 15-17
Journal: Journal of Crystal Growth - Volumes 496â497, AugustâSeptember 2018, Pages 15-17
نویسندگان
V. Nirmal Kumar, Y. Hayakawa, M. Arivanandhan, G. Rajesh, T. Koyama, Y. Momose, T. Ozawa, Y. Okano, Y. Inatomi,