کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8149695 | 1524404 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural properties of AlGaP films on GaP grown by gas-source molecular-beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The growth of Al0.85Ga0.15P on GaP using gas-source molecular-beam epitaxy is investigated using in situ high-energy electron diffraction, high-resolution x-ray diffraction, atomic-force microscopy, and scanning electron microscopy. Growth temperature and phosphorus flux were varied. The 1.0-μm AlGaP films were grow on a GaP buffer layer and capped with GaP. The investigation indicates that a growth temperature of 490 °C and a cracked PH3 flux of 2.7 sccm resulted in the best AlGaP quality, while maintaining very good GaP quality.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 94-98
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 94-98
نویسندگان
S. Dadgostar, E.H. Hussein, J. Schmidtbauer, T. Boeck, F. Hatami, W.T. Masselink,