کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8149753 | 1524404 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dislocation reduction in GaN grown on nano-patterned templates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A nano-holes patterned GaN-on-patterned sapphire substrate template has been developed to reduce the threading dislocation (TD) density in homoepitaxy GaN layer grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy. The grown layers characterized by high resolution x-ray diffraction, photoluminescence, and cross-section transmission electron microscopy confirm that the TD density of GaN epilayer has been successfully reduced an order of magnitude to ~107Â cmâ2 by optimizing the depth and coverage area percentage of patterned nano-holes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 141-144
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 141-144
نویسندگان
W.C. Yang, K.Y. Chen, Kai-Yuan Cheng, Y.L. Wang, K.C. Hsieh, K.Y. Cheng,