کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8149865 | 1524404 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low resistivity and low compensation ratio Ga-doped ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this study, Ga-doped ZnO (GZO) thin films were deposited on GaN templates by using plasma-assisted molecular beam epitaxy. To obtain low resistivity GZO films, in-situ post-annealing under Zn overpressure was carried out to avoid the generation of acceptor-liked Zn vacancies. The resultant films showed optical transparency over 95% in the visible spectral range. By reducing the acceptor-like defects, GZO films with compensation ratio near 0.4 and resistivity simultaneously lower than 1Ã10â4 Ω cm have been successfully demonstrated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 216-220
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 216-220
نویسندگان
Cheng-Yu Chen, Li-Han Hsiao, Jen-Inn Chyi,