| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 8149951 | 1524404 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Terahertz emission from a coupled multilayer cavity with InAs quantum dots
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													فیزیک و نجوم
													فیزیک ماده چگال
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												InAs quantum dots (QDs) were introduced as efficient nonlinear materials into a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity, which was recently demonstrated as a novel THz emission device based on difference-frequency generation (DFG) of the two cavity modes. The couple multilayer cavity containing QDs was grown by molecular beam epitaxy and the THz-DFG was measured using femtosecond laser pulses.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 303-306
											Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 425, 1 September 2015, Pages 303-306
نویسندگان
												Masanori Ogarane, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu,