کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8150213 | 1524413 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single crystalline SiGe layers on Si by solid phase epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Single crystalline SiGe layers on Si by solid phase epitaxy Single crystalline SiGe layers on Si by solid phase epitaxy](/preview/png/8150213.png)
چکیده انگلیسی
We demonstrate a straightforward way to obtain single crystalline SiGe layers on silicon substrates. Amorphous SiGe layers, deposited by plasma enhanced chemical vapour deposition on Si, are transformed into single crystalline and smooth layers by solid phase epitaxy during annealing in a N2 atmosphere. The SiGe layers relax during the crystallization anneal and become slightly tensile strained during cooldown due to the thermal mismatch. The SiGe layers show excellent structural quality for compositions ranging from Ge- to Si-rich. The Ge content can be accurately estimated from the SiH4 to GeH4 flow ratio. Furthermore, the crystallization temperature decreases linearly with increasing Ge content from 725 °C for a-Si to 475 °C for a-Ge.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 416, 15 April 2015, Pages 34-40
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 416, 15 April 2015, Pages 34-40
نویسندگان
R.R. Lieten, J.C. McCallum, B.C. Johnson,