کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8150732 | 1524426 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Highly transparent ammonothermal bulk GaN substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A novel apparatus has been employed to grow ammonothermal (0001) gallium nitride (GaN) with diameters up to 2Â in. The crystals have been characterized by x-ray diffraction rocking-curve (XRC) analysis, optical and scanning electron microscopy (SEM), cathodoluminescence (CL), and optical spectroscopy. High crystallinity GaN with FWHM values about 20-50Â arcsec and dislocation densities below 1Ã105Â cmâ2 have been obtained. High optical transmission was achieved with an optical absorption coefficient below 1Â cmâ1 at a wavelength of 450Â nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 403, 1 October 2014, Pages 18-21
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 403, 1 October 2014, Pages 18-21
نویسندگان
Wenkan Jiang, Dirk Ehrentraut, Bradley C. Downey, Derrick S. Kamber, Rajeev T. Pakalapati, Hak Do Yoo, Mark P. D'Evelyn,