کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8151203 | 1524436 | 2014 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-temperature acidic ammonothermal method for GaN crystal growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We developed high-temperature autoclaves which are capable of growing GaN crystals at temperature <850 °C and pressure <150 MPa. A high-temperature acidic ammonothermal method with acidic mineralizer revealed retrograde solubility of GaN, and yielded GaN crystals with XRC-FWHM values of around 30â³.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 393, 1 May 2014, Pages 93-97
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 393, 1 May 2014, Pages 93-97
نویسندگان
Kazuo Yoshida, Kensuke Aoki, Tsuguo Fukuda,