کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8151203 1524436 2014 16 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-temperature acidic ammonothermal method for GaN crystal growth
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
High-temperature acidic ammonothermal method for GaN crystal growth
چکیده انگلیسی
We developed high-temperature autoclaves which are capable of growing GaN crystals at temperature <850 °C and pressure <150 MPa. A high-temperature acidic ammonothermal method with acidic mineralizer revealed retrograde solubility of GaN, and yielded GaN crystals with XRC-FWHM values of around 30″.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 393, 1 May 2014, Pages 93-97
نویسندگان
, , ,