کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8151417 1524441 2014 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of dendritic crystal structures in thin silicon films on silicon dioxide by carbon ion implantation and high intensity large area flash lamp irradiation
ترجمه فارسی عنوان
شکل گیری ساختارهای کریستال دندریتیک در فیلم های سیلیکونی نازک بر روی دی اکسید سیلیکون با کاشت یون کربن و تابش لامپ فلورسنت با شدت زیاد
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
In this paper, we use large area light pulse induced melting of deposited thin silicon films on oxidised silicon wafers to prepare coarse grained dendritic crystal structures. The results show that the addition of carbon prevents the agglomeration of the molten silicon films and largely influences the crystallisation process. The low solubility of carbon in liquid silicon and its effect on the silicon melting temperature induces a distinctive lateral dendritic grain growth. XTEM, SEM, AFM and ToF-SIMS investigations have been performed to study the crystallisation process and to characterise the resulting film structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 388, 15 February 2014, Pages 70-75
نویسندگان
, , , , , , , , ,