کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8152082 | 1524448 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A modified cooling process in directional solidification of multicrystalline silicon
ترجمه فارسی عنوان
یک فرایند خنک کننده اصلاح شده در جهت خنک شدن جهت سیلیکون چندپخشی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
Directional solidification is the most popular technique for massive production of multicrystalline silicon in the solar industry. Conventional process aims to prevent the breakage of silicon ingots. To lower dislocation density in ingots, a significant modification to conventional cooling processes in productions of mc-Si ingots is proposed, and a three-dimensional numerical simulation with a simplified model of dislocation multiplication has been carried out to analyze its effect on dislocation multiplication. The results show that with the modified cooling process, the final dislocation density could be reduced to about one fifth of that formed in normal cooling process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 381, 15 October 2013, Pages 22-26
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 381, 15 October 2013, Pages 22-26
نویسندگان
Naigen Zhou, Maohua Lin, Lang Zhou, Qiufa Hu, Haisheng Fang, Sen Wang,