کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8160837 | 1525112 | 2018 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence factors of the inter-nanowire thermal contact resistance in the stacked nanowires
ترجمه فارسی عنوان
فاکتورهای تاثیر گذار مقاومت گرمادهی بین نانوسیم در نانوسیمهای انباشته شده
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نانوسیم انباشته شده شبکه، هدایت حرارتی، مقاومت در برابر حرارت، نانوکامپوزیت،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
The inter-nanowire thermal contact resistance is important for tuning the thermal conductivity of a nanocomposite for thermoelectric applications. In this paper, the stacked copper nanowires are applied for studying the thermal contact resistance. The stacked copper nanowires are firstly made by the cold-pressing method, and then the nanowire stacks are treated by sintering treatment. With the effect of the volumetric fraction of nanowires in the stack and the influence of the sintering-temperature on the thermal contact resistance discussed, results show that: The thermal conductivity of the 150-nm copper nanowires can be enlarged almost 2 times with the volumetric fraction increased from 32 to 56% because of the enlarged contact-area and contact number of a copper nanowire. When the sintering temperature increases from 293 to 673â¯K, the thermal conductivity of the stacked 300-nm nanowires could be enlarged almost 2.5 times by the sintering treatment, because of the improved lattice property of the contact zone. In conclusion, application of a high volumetric fraction or/and a sintering-treatment are effectivity to tune the inter-nanowire thermal contact resistance, and thus to tailor the thermal conductivity of a nanowire network or stack.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 537, 15 May 2018, Pages 150-154
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 537, 15 May 2018, Pages 150-154
نویسندگان
Dongxu Wu, Congliang Huang, Jinxin Zhong, Zizhen Lin,