کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8917811 | 1642785 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low-voltage complementary inverters based on ion gel-gated ReS2 and BP transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Low-voltage complementary inverters based on ion gel-gated ReS2 and BP transistors Low-voltage complementary inverters based on ion gel-gated ReS2 and BP transistors](/preview/png/8917811.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: FlatChem - Volume 5, October 2017, Pages 33-39
Journal: FlatChem - Volume 5, October 2017, Pages 33-39
نویسندگان
Jun Beom Kim, Yongsuk Choi, Ajjiporn Dathbun, Seongchan Kim, Dongun Lim, Panuk Hong, Jeong Ho Cho,