کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9567292 | 1503713 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Control of photoluminescence wavelength from uniform InAs quantum dots by annealing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Post-growth annealing of uniform InAs quantum dots (QDs) grown on GaAs(0 0 1) substrates was investigated, and obtained results gave some useful information about control of QD energy level and an intermixing effect between In and Ga atoms. In particular, a wide control of photoluminescence (PL) peak energy (312 meV) and an extremely narrow PL linewidth (13 meV) were obtained from uniform QDs annealed at 700 °C. Photoluminescence properties of annealed QDs depending on anneal conditions were explained by modification of the QD structure and, an interdiffussion effect was discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 88-91
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 88-91
نویسندگان
Yoshiyuki Kobayashi, Koichi Yamaguchi,