کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9586178 | 1505939 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Radiative recombination of excitons in amorphous semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Radiative recombination of excitons in amorphous semiconductors Radiative recombination of excitons in amorphous semiconductors](/preview/png/9586178.png)
چکیده انگلیسی
A theory for calculating the radiative lifetime of excitons in amorphous semiconductors is presented. Four possibilities of excitonic radiative recombination are considered and the corresponding rates are derived at thermal equilibrium. The radiative lifetime is calculated from the inverse of the maximum rate for all the four possibilities. Results agree very well with experiments.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 112, Issues 1â4, April 2005, Pages 40-44
Journal: Journal of Luminescence - Volume 112, Issues 1â4, April 2005, Pages 40-44
نویسندگان
Jai Singh,