کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9586214 | 1505939 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Instability toward biexciton crystallization in one-dimensional electron-hole systems
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Instability toward biexciton crystallization in one-dimensional electron-hole systems Instability toward biexciton crystallization in one-dimensional electron-hole systems](/preview/png/9586214.png)
چکیده انگلیسی
One-dimensional (1D) electron-hole (e-h) systems in a high-density regime is investigated by means of bozonization techniques. It turned out that the systems are insulating even at the high-density limit and that the exciton Mott transition (insulator-to-metal transition) never occurs at absolute zero temperature. The insulating ground state exhibits a strong instability towards the crystallization of biexciton.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 112, Issues 1â4, April 2005, Pages 200-203
Journal: Journal of Luminescence - Volume 112, Issues 1â4, April 2005, Pages 200-203
نویسندگان
Kenichi Asano, Tetsuo Ogawa,