کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9586318 | 1505938 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Intensity noise characteristics in quantum-dot lasers: four-level rate equations analysis
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, the intensity noise characteristics in the three regions of InGaAs QD structure is studied here. The four-level structure-dependent model introduced in this work enable us to study relaxation, recombination and emission processes in the QD region. Carrier recombination outside the dot (inside the quantum-well region), which is impossible to study with other models, is studied here. In this paper, it is shown that noise can be split into five sources. Phonon bottleneck effect is shown to increase the noise.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 113, Issues 1â2, May 2005, Pages 129-136
Journal: Journal of Luminescence - Volume 113, Issues 1â2, May 2005, Pages 129-136
نویسندگان
Amin H. Al-Khursan,