کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9586319 | 1505938 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Radiative centers in layered semiconductor GaS doped with Zn
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The radiative recombination mechanisms of the Zn-doped GaS have been investigated using photoluminescence (PL) measurements. In these undoped and Zn-doped samples, the five emission bands at 2.570, 2.555, 2.534, 2.521, and 2.480Â eV are related to the indirect band exciton with phonon emission. The PL spectrum (at 77Â K) related to the impurity level is dominated by the new emission band at 1.85Â eV. The temperature dependences of the PL intensity, peak energy, and full-width at half-maximum are characterized by the recombination mechanism of the configurational coordinate model. It is found that the1.85Â eV emission band is related to the acceptor-vacancy complex center.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 113, Issues 1â2, May 2005, Pages 137-142
Journal: Journal of Luminescence - Volume 113, Issues 1â2, May 2005, Pages 137-142
نویسندگان
S. Shigetomi, T. Ikari,