کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9591709 | 1507012 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ab initio calculations of electronic properties of pure and Ge doped anatase TiO2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper we compared the electronic properties of the Ge doped anatase TiO2 with that of the pure host lattice. The ab initio calculations were performed by using the full potential-linearized augmented plane wave method (FP-LAPW). The fully optimized structure and the relaxation introduced by the impurity were obtained by minimizing the total energy and atomic forces. The resulted band structure, density of states maybe instructive to the understanding of exceptional behavior in this system.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Molecular Structure: THEOCHEM - Volume 723, Issues 1â3, 20 May 2005, Pages 135-138
Journal: Journal of Molecular Structure: THEOCHEM - Volume 723, Issues 1â3, 20 May 2005, Pages 135-138
نویسندگان
Qiang Chen, Hong-Hong Cao,