کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9594540 1507967 2005 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of anthracene single crystals on graphite (0 0 0 1) substrate with physical vapor growth technique
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Epitaxial growth of anthracene single crystals on graphite (0 0 0 1) substrate with physical vapor growth technique
چکیده انگلیسی
The epitaxial growth of an anthracene/graphite (0 0 0 1) system was performed using the physical vapor growth technique. Most anthracene single crystals had the clear tendency to form the epitaxial orientation relationships [0 1 0]anthracene//[21¯1¯0], [1¯21¯0], or [112¯0]graphite, (1 0 0)anthracene//(0 0 0 1)graphite, and a few, (0 0 1)anthracene//(0 0 0 1)graphite. The layer structure of each (0 0 1) plane of an anthracene single crystal appeared on lateral planes with a high periodicity, which caused epitaxy with the highly periodic atomic arrangement of a graphite (0 0 0 1) substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 592, Issues 1–3, 1 November 2005, Pages 37-41
نویسندگان
, , , ,