کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9594540 | 1507967 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of anthracene single crystals on graphite (0Â 0Â 0Â 1) substrate with physical vapor growth technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Epitaxy - اپیتاکسیMetal–semiconductor interfaces - رابطهای نیمه هادی فلزیGrowth - رشدsurface structure - ساختار سطحStepped single crystal surfaces - سطوح کریستالی پله شدهAromatics - معطرMorphology - مورفولوژی(ریخت شناسی)Roughness and topography - ناراحتی و توپوگرافیInterface state - وضعیت رابطGraphite - گرافیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The epitaxial growth of an anthracene/graphite (0 0 0 1) system was performed using the physical vapor growth technique. Most anthracene single crystals had the clear tendency to form the epitaxial orientation relationships [0 1 0]anthracene//[21¯1¯0], [1¯21¯0], or [112¯0]graphite, (1 0 0)anthracene//(0 0 0 1)graphite, and a few, (0 0 1)anthracene//(0 0 0 1)graphite. The layer structure of each (0 0 1) plane of an anthracene single crystal appeared on lateral planes with a high periodicity, which caused epitaxy with the highly periodic atomic arrangement of a graphite (0 0 0 1) substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 592, Issues 1â3, 1 November 2005, Pages 37-41
Journal: Surface Science - Volume 592, Issues 1â3, 1 November 2005, Pages 37-41
نویسندگان
Sadaharu Jo, Hitoshi Yoshikawa, Akane Fujii, Mitsuru Takenaga,