کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9618628 | 49479 | 2005 | 13 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Gas-jet electron beam plasma chemical vapor deposition method for solar cell application
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A novel gas-jet electron beam plasma chemical vapor deposition method for high-rate deposition of silicon films is presented. The method is based on the activation of initial gas molecules by electron beam and fast convective transfer of the radicals to a substrate by means of a supersonic free jet. We report on the results of applying the method for growth of amorphous, microcrystalline, homoepitaxial silicon films and transparent conducting oxides (ZnO:Al). Our method demonstrates the high deposition rates (up to 5Â nm/s) of microcrystalline Si films at low temperatures on large area substrates (area up to 15Ã15Â cm2).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 89, Issues 2â3, 15 November 2005, Pages 99-111
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 89, Issues 2â3, 15 November 2005, Pages 99-111
نویسندگان
R.G. Sharafutdinov, S.Ya. Khmel, V.G. Shchukin, M.V. Ponomarev, E.A. Baranov, A.V. Volkov, O.I. Semenova, L.I. Fedina, P.P. Dobrovolsky, B.A. Kolesov,