کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9618704 | 49464 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical possibilities of InxGa1âxN tandem PV structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The numerical values for InxGa1âxN were taken from the relevant literature. The calculated efficiency goes from 27.49% for the two-junction tandem structure to 40.35% for a six-junction structure. The six-junction InxGa1âxN tandem structure has an open-circuit voltage of about 5.34Â V and a short circuit current density of 9.1Â mA/cm2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 87, Issues 1â4, May 2005, Pages 595-603
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 87, Issues 1â4, May 2005, Pages 595-603
نویسندگان
Hasna Hamzaoui, Ahmed S. Bouazzi, Bahri Rezig,