کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9618704 49464 2005 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical possibilities of InxGa1−xN tandem PV structures
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی شیمی کاتالیزور
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Theoretical possibilities of InxGa1−xN tandem PV structures
چکیده انگلیسی
The numerical values for InxGa1−xN were taken from the relevant literature. The calculated efficiency goes from 27.49% for the two-junction tandem structure to 40.35% for a six-junction structure. The six-junction InxGa1−xN tandem structure has an open-circuit voltage of about 5.34 V and a short circuit current density of 9.1 mA/cm2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solar Energy Materials and Solar Cells - Volume 87, Issues 1–4, May 2005, Pages 595-603
نویسندگان
, , ,