کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9670322 1450401 2005 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Precursor chemistry for ULK CVD
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Precursor chemistry for ULK CVD
چکیده انگلیسی
A way to get a low dielectric constant is to decrease the weight density of the bulk material, keeping the same material family, by choosing complex precursors. Voids inside the bulk material could be obtained with macropores or larger (air gap), mesopores (xerogels, SOD) or micropores up to free volume. In that case, cyclic chain precursors and/or a porogen approach can be selected in agreement with plasma experimental conditions to synthesise low density plasma-polymers with intrinsic free volume or with microporosity revealed by a post treatment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 82, Issues 3–4, December 2005, Pages 333-340
نویسندگان
, , , , , ,