کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670351 | 1450401 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization and optimization of a new Cu/SiN/TaN/Cu damascene architecture for metal-insulator-metal capacitors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Characterization and optimization of a new Cu/SiN/TaN/Cu damascene architecture for metal-insulator-metal capacitors Characterization and optimization of a new Cu/SiN/TaN/Cu damascene architecture for metal-insulator-metal capacitors](/preview/png/9670351.png)
چکیده انگلیسی
The MIM capacitor is a key passive component for analog and RF applications. To be integrated among copper interconnect levels, MIM capacitors have to be compatible with Back End Of Line processes and materials. In this way, a new MIM Cu/Si3N4/TaN/Cu stack has been implemented between upper copper interconnect levels using a damascene architecture. Physical and electrical characterizations were carried out to optimize processes, leading to the RF evaluation of high-performances MIM capacitors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 82, Issues 3â4, December 2005, Pages 521-528
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 82, Issues 3â4, December 2005, Pages 521-528
نویسندگان
M. Thomas, J. Piquet, A. Farcy, C. Bermond, J. Torres, T. Lacrevaz, B. Flechet, N. Casanova, C. Perrot, P. Caubet, B. Chenevier,