کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670361 | 1450401 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A PVD based barrier technology for the 45Â nm node
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A new PVD source for barrier deposition has been developed which is extendible down to the 45Â nm node. The source can conformally deposit barrier metal on the sidewalls of vias and trenches. The thickness of the barrier on the via bottom can be minimized for lowest via resistance. Electrical tests on typical back-end-of-line structures show line resistances consistent with measured trench sidewall coverage. Both stress migration and electro-migration performance are superior to previous generation PVD barrier sources.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 82, Issues 3â4, December 2005, Pages 594-599
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 82, Issues 3â4, December 2005, Pages 594-599
نویسندگان
J. Forster, P. Gopalraja, T.J. Gung, A. Sundarrajan, X. Fu, N. Hammond, J. Fu, U. Kelkar, A. Bhatnagar,