کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670363 | 1450401 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of high performance Ta-Si-N/Cu/Ta-Si-N metallization system for SAW devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The power durability of a new developed Ta-Si-N/Cu/Ta-Si-N metallization was tested in comparison with an Al/Ti metallization under accelerated test conditions. The Cu metallization system showed a lifetime more than three orders of magnitude longer than that of the Al metallization. Both damaged metallizations were investigated after accelerated tests using scanning electron microscopy and focused ion beam technique. The different acoustomigration resistance of the Cu-based system is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 82, Issues 3â4, December 2005, Pages 607-612
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 82, Issues 3â4, December 2005, Pages 607-612
نویسندگان
M. PekarÄıÌková, S. Menzel, D. Reitz, H. Schmidt, K. Wetzig,