کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9670401 1450402 2005 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of injection level of charge carriers in nanostructured porous silicon on electroluminescence quantum efficiency
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Influence of injection level of charge carriers in nanostructured porous silicon on electroluminescence quantum efficiency
چکیده انگلیسی
This paper will investigate the electroluminescence characteristics of Al/porous silicon/monocrystalline silicon/Al sandwich-structures (Al/PS-(c-Si)/Al) prepared on a base of nanostructured porous silicon by the method of electrochemical anodization of monocrystalline silicon wafers are reported. It will be concerned with the light emission mechanism of Al/PS-(c-Si)/Al sandwich-structures at double injection of charge carriers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issues 2–4, August 2005, Pages 288-292
نویسندگان
, ,