کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670401 | 1450402 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of injection level of charge carriers in nanostructured porous silicon on electroluminescence quantum efficiency
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper will investigate the electroluminescence characteristics of Al/porous silicon/monocrystalline silicon/Al sandwich-structures (Al/PS-(c-Si)/Al) prepared on a base of nanostructured porous silicon by the method of electrochemical anodization of monocrystalline silicon wafers are reported. It will be concerned with the light emission mechanism of Al/PS-(c-Si)/Al sandwich-structures at double injection of charge carriers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issues 2â4, August 2005, Pages 288-292
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issues 2â4, August 2005, Pages 288-292
نویسندگان
D.F. Timokhov, F.P. Timokhov,