کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670431 | 1450402 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling of the electrical properties of polycrystalline ceramic semiconductors with submicron grains
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A numerical model for simulation of the microstructure and electrical properties of semiconductor ceramic materials is presented. For the case of the average grain size being comparable to the grain boundary depleted region and the double Schottky barriers of the neighboring grain boundaries overlap. The two-dimensional (2D) simulation is performed in the drift-diffusion approximation using Voronoi network method. The influence of the grain size on the volt-ampere characteristic and specific electrical capacitance is analyzed for p-type SrTiO3.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issues 2â4, August 2005, Pages 494-502
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 81, Issues 2â4, August 2005, Pages 494-502
نویسندگان
I.V. Rozhansky, D.A. Zakheim,