کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670459 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oxide traps characterization of 45 nm MOS transistors by gate current R.T.S. noise measurements
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A characterization of traps in ultrathin-oxide MOSFETs by low frequency noise measurements is presented. Drain and gate current noise measurements are investigated. 1/f drain noise magnitude allows extraction of slow oxide interface trap density. Random Telegraph Signal (R.T.S.) gate noise allows to extract properties of defects of the dielectric, such as trap energy level, cross section and its localization from the Si/Si02 interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 54-57
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 54-57
نویسندگان
F. Martinez, C. Leyris, G. Neau, M. Valenza, A. Hoffmann, J.C. Vildeuil, E. Vincent, F. Boeuf, T. Skotnicki, M. Bidaud, D. Barge, B. Tavel,