کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670489 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Edge and percolation effects on VT window in nanocrystal memories
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present results of 3D Monte Carlo simulation of nanocrystal memory cells, investigating the impact of edge and percolation effects on the achievable threshold voltage window. While edge effects reduce the performance for narrow cells, percolation can play a beneficial role for W scaling, but is critical when scaling L. To reduce edge effects, a structure with non-overlapped trenches is proposed and investigated, showing that it can improve the performance by about 20% in terms of ÏÎVT/ÎVT.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 186-189
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 186-189
نویسندگان
R. Gusmeroli, A.S. Spinelli, C. Monzio Compagnoni, D. Ielmini, A.L. Lacaita,