| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 9670511 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Oxygen vacancies in amorphous silica: structure and distribution of properties
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی کامپیوتر
													سخت افزارها و معماری
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												We used an ab initio embedded cluster method to study and compare three charged states of the Si-Si dimer configurations of oxygen vacancies in α-quartz and amorphous silica. The Si-Si bond in the neutral vacancy remains largely the same in both crystalline and amorphous SiO2. In α-quartz the positively charged dimer EⲠcentre exists only as a meta-stable configuration, whereas in amorphous silica stable dimer configuration can be formed at favorable precursor sites. Our results demonstrate that negatively charged dimer oxygen vacancies can be formed in α-quartz.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 292-295
											Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 292-295
نویسندگان
												P.V. Sushko, S. Mukhopadhyay, A.M. Stoneham, A.L. Shluger,