کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670511 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oxygen vacancies in amorphous silica: structure and distribution of properties
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We used an ab initio embedded cluster method to study and compare three charged states of the Si-Si dimer configurations of oxygen vacancies in α-quartz and amorphous silica. The Si-Si bond in the neutral vacancy remains largely the same in both crystalline and amorphous SiO2. In α-quartz the positively charged dimer EⲠcentre exists only as a meta-stable configuration, whereas in amorphous silica stable dimer configuration can be formed at favorable precursor sites. Our results demonstrate that negatively charged dimer oxygen vacancies can be formed in α-quartz.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 292-295
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 292-295
نویسندگان
P.V. Sushko, S. Mukhopadhyay, A.M. Stoneham, A.L. Shluger,