کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670533 | 1450403 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ab-initio simulations on growth and interface properties of epitaxial oxides on silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Ab-initio simulations on growth and interface properties of epitaxial oxides on silicon Ab-initio simulations on growth and interface properties of epitaxial oxides on silicon](/preview/png/9670533.png)
چکیده انگلیسی
The replacement of SiO2 by so-called high-k oxides is one of the major challenges for the semiconductor industry to date. Based on electronic structure calculations and ab-initio molecular dynamics simulations, we are able to provide a consistent picture of the growth process of a class of epitaxial oxides around SrO and SrTiO3. The detailed understanding of the interfacial binding principles has also allowed us to propose a way to engineer the band-offsets between the oxide and the silicon substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 402-407
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 402-407
نویسندگان
C.J. Först, C.R. Ashman, K. Schwarz, P.E. Blöchl,