کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670536 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single Hf atoms inside the ultrathin SiO2 interlayer between a HfO2 dielectric film and the Si substrate: How do they modify the interface?
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We show that individual Hf atoms may get incorporated into the SiO2 interlayer which is formed between the HfO2 dielectric film and the Si substrate during rapid thermal annealing. We report atomically-resolved Z-contrast images of a Si/SiO2/HfO2 structure together with first-principles calculations which demonstrate that single Hf atoms are in fact present in the interlayer. The location of individual Hf atoms within the interlayer oxide is closely related to the structure of the amorphous oxide near the Si/SiO2 interface. The Hf defects may affect channel mobility and leakage currents in the HfO2/Si electronic devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 416-419
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 416-419
نویسندگان
S.N. Rashkeev, K. van Benthem, S.T. Pantelides, S.J. Pennycook,