کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670579 | 1450404 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Highly selective etch process for silicon-on-insulator nano-devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Reactive ion etch (RIE) processes with HBr/O2 chemistry are optimized for processing of functional nanostructures based on silicon and polysilicon. The etch rate, etch selectivity, anisotropy and sidewall roughness are investigated for specific applications. The potential of this process technology for nanoscale functional devices is demonstrated by MOSFETs with 12Â nm gate length and optimized photonic devices with ultrahigh Q-factors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volumes 78â79, March 2005, Pages 212-217
Journal: Microelectronic Engineering - Volumes 78â79, March 2005, Pages 212-217
نویسندگان
T. Wahlbrink, T. Mollenhauer, Y.M. Georgiev, W. Henschel, J.K. Efavi, H.D.B. Gottlob, M.C. Lemme, H. Kurz, J. Niehusmann, P. Haring Bolivar,