کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9697410 | 1460824 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultra-nano-crystalline/single crystal diamond heterostructure diode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A new type of highly rectifying diamond heterostructure diode is demonstrated. The p-type doped part of the diode consists of a single crystal diamond, the n-type part of a nitrogen doped ultra-nano-crystalline diamond (UNCD) layer. IV-measurements show 8 orders of magnitude of rectification (±10 V) at room temperature. The barrier behavior is rather complex and can be described by two junctions acting in parallel, reflecting the UNCD properties. This new material system displays an extraordinary thermal stability and has been tested successfully up to 1050 °C in vacuum. Thus, this novel diamond heterostructure diode belongs to the few ultrahigh temperature stable electronic devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 14, Issues 3â7, MarchâJuly 2005, Pages 416-420
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 14, Issues 3â7, MarchâJuly 2005, Pages 416-420
نویسندگان
T. Zimmermann, M. Kubovic, A. Denisenko, K. Janischowsky, O.A. Williams, D.M. Gruen, E. Kohn,