کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9699135 | 1461440 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
400 °C Formation of poly-SiGe on SiO2 by Au-induced lateral crystallization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: 400 °C Formation of poly-SiGe on SiO2 by Au-induced lateral crystallization 400 °C Formation of poly-SiGe on SiO2 by Au-induced lateral crystallization](/preview/png/9699135.png)
چکیده انگلیسی
Au-induced low-temperature (400 °C) crystallization of amorphous-Si1âxGex (x: 0-1) thin films on SiO2 has been investigated. Although the growth velocity decreased with increasing Ge fraction, growth velocity exceeding 20 μm/h was obtained in all Ge fractions. As a result, strain-free poly-Si1âxGex with large areas (>20 μm) were obtained at a low temperature (400 °C). These new polycrystalline SiGe films on insulator could be used for advanced system in display and three-dimensional ULSI.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1â3, FebruaryâJune 2005, Pages 79-82
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1â3, FebruaryâJune 2005, Pages 79-82
نویسندگان
Hiroshi Kanno, Tomohisa Aoki, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao,