کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9699136 | 1461440 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ge-enhanced MILC velocity in a-Ge/a-Si/SiO2 layered structure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Ge-enhanced MILC velocity in a-Ge/a-Si/SiO2 layered structure Ge-enhanced MILC velocity in a-Ge/a-Si/SiO2 layered structure](/preview/png/9699136.png)
چکیده انگلیسی
Ni-mediated low-temperature solid-phase crystallization in a-Ge/a-Si/SiO2 layered structure has been investigated. Crystal nucleation was initiated in the a-Ge layer, which stimulated the bond rearrangement in a-Si. This enhanced lateral crystallization velocity of a-Si three times greater than that of a-Si/SiO2 single structure. As a result, poly-Si films with large areas (â¼10 μm for 5 h and â¼30 μm for 15 h) were obtained after 550 °C annealing. This will be a powerful tool for realizing large poly-Si areas on insulating films for system-in-displays and three-dimensional ultra-large-scale integrated circuits.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1â3, FebruaryâJune 2005, Pages 83-88
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 8, Issues 1â3, FebruaryâJune 2005, Pages 83-88
نویسندگان
Hiroshi Kanno, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao,